Transistor efek–medan: Béda antara owahan
Konten dihapus Konten ditambahkan
c →Komposisi: bentuk -> wujud using AWB |
c Bot: Panggantèn kosmètik |
||
Larik 13:
|simbol=
|susunan_kaki=3 pin, gerbang, sumber, cerat}}
'''Transistor efek–medan''' (FET) inggih punika salah satunggaling jinis [[transistor]] ngginaakèn [[medan listrik]] kanggè ngèndaliakèn [[konduktifitas]] suatu kanal saking jinis pembawa muatan tunggal ing bahan [[semikonduktor]]. FET kadang-kadang dipunsèbat minangka transistor ekakutub kanggè mbèntnèakèn operasi pembawa muatan tunggal ingkang dipunlmapahi kaliyan
== Sejarah ==
Transistor efek–medan dipunciptakakèn dèning [[Julius Edgar Lilienfeld]] ing taun [[1925]] lan dèning [[Oskar Heil]] ing taun [[1934]], ananging peranti praktis mbotèn dipundamèl secara masal nagntos taun 1990-an.
Larik 30:
Ing moda punika, FET kangge kadasta sebuah resistor variabel lan FET ngendika beroperasi ing ''moda linier'' utawi ''moda ohmik''<ref name=Schneider>{{cite book |author=C Galup-Montoro & Schneider MC|title=MOSFET modeling for circuit analysis and design|year= 2007|pages=83|publisher=World Scientific|location=London/Singapore |isbn=981-256-810-7|url=http://worldcat.org/isbn/981-256-810-7}}</ref><ref name=Malik>{{cite book |author=Norbert R Malik|title=Electronic circuits: analysis, simulation, and design|year= 1995|pages=315–316|publisher=Prentice Hall|location=Englewood Cliffs, NJ|isbn=0-02-374910-5|url=http://worldcat.org/isbn/0-02-374910-5}}</ref> Menawi tegangan cerat-ke-sumber ningkat, punika ndamel perubahan wujud kanal ingkang signifikan lan taksimetrik amargi gradien tegangan saking sumber ing cerat. Wujud saking daerah pembalikan dados ''kurus'' dekat ujung cerat saking kanal. Menawi tegangan cerat-ke-sumber dipuntingkataken lajengipun, titik kurus dari kanal mulai bergerak dari cerat menuju ke sumber. Pada keadaan ini, FET ngendika ing ''moda penjenuhan'',<ref name=Spencer>{{cite book |author=RR Spencer & Ghausi MS|title=Microelectronic circuits|year= 2001|pages=102|publisher=Pearson Education/Prentice-Hall|location=Upper Saddle River NJ |isbn=0-201-36183-3|url=http://worldcat.org/isbn/0-201-36183-3}}</ref> pinten-pinten tiyang nyebataken ''moda aktif'', kangge nganalogikan kaliyan tlatah operasi transistor dwikutub.<ref name=Sedra>{{cite book|author=A. S. Sedra and K.C. Smith|title=Microelectronic circuits|year= 2004|edition=Fifth Edition|pages=552|publisher=Oxford|location=New York|isbn=0-19-514251-9|url=http://worldcat.org/isbn/0-19-514251-9}}</ref><ref name=Gray-Mayer>{{cite book|author=PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis & RG Meyer|title=Analysis and design of analog integrated circuits|year= 2001|pages=§1.5.2 p. 45|edition=Fourth Edition|publisher=Wiley|location=New York|isbn=0-471-32168-0|url=http://worldcat.org/isbn/0-471-32168-0}}</ref>
== Jinis-jinis transistor efek medan ==
Kanal ing FET sampun didoping kangge ndamel sae [[semikonduktor tipe-n]] utawi [[semikonduktor tipe-p]]. Ing FET moda pengayaan, cerat lan sumber dipundamel benten tipe kaliyan kanal, menawi ing FET moda pemiskinan dipundamel setipe kaliyan kanal. FET ugi dipunbentenaken adedasar
Jinis-jinis dari FET adalah:
* '''[[MOSFET]]''' (''Metal–Oxide–Semiconductor FET'', FET [[Semikonduktor]]–[[Oksida]]–[[Logam]]) ngginaaken [[isolator]] (biasanipun [[silikon dioksida|SiO<sub>2</sub>]]) ing antawisipun gerbang lan badan.
| |||