Transistor efek–medan: Béda antara owahan

Konten dihapus Konten ditambahkan
Top4Bot (parembugan | pasumbang)
c Bot: Panggantèn teks otomatis (-\bCathetan Suku\b +Cathetan suku)
Top4Bot (parembugan | pasumbang)
éjaan, replaced: sae → saé, mekaten → makaten, lazim → lajim, kanggè → kanggé (2), kangge → kanggé (5), dasar → dhasar (2), Menawi → Manawi (2), menawi → manawi (2)
Larik 13:
|simbol=
|susunan_kaki=3 pin, gerbang, sumber, cerat}}
'''Transistor efek–medan''' (FET) inggih punika salah satunggaling jinis [[transistor]] ngginaakèn [[medan listrik]] kanggèkanggé ngèndaliakèn [[konduktifitas]] suatu kanal saking jinis pembawa muatan tunggal ing bahan [[semikonduktor]]. FET kadang-kadang dipunsèbat minangka transistor ekakutub kanggèkanggé mbèntnèakèn operasi pembawa muatan tunggal ingkang dipunlmapahi kaliyan operasi kalih pembawa muatan ing [[transistor dwikutub]] (BJT).
== Sejarah ==
Transistor efek–medan dipunciptakakèn dèning [[Julius Edgar Lilienfeld]] ing taun [[1925]] lan dèning [[Oskar Heil]] ing taun [[1934]], ananging peranti praktis mbotèn dipundamèl secara masal nagntos taun 1990-an.
== Saluran ==
Sdèaya FET nggadahi sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) lan sumber (source) ingkang kintèn-kintèn sami kaliyan basis, kolektor lan emitor ing BJT. Sanèsipun [[JFET]], sèdaya FET ugi nggadahi saluran kaping sèkawan ingkang dipunasmani badan, dasardhasar utawi substrat. Saluran kaping sèkawan punika nglayani kegunaan teknis ing [[pemanjaran transistor]] kedalam titik operasi. Terminal punika sangat jarang dipunginaakèn ing desain sirkuit, ananging keberadaanipun punika wigati ngrancang penataan [[sirkuit terpadu]].
[[Gambar:Lateral_mosfet.svg|thumbnail|Irisan MOSFET tipe-n]]
Asma-asma saluran ing FET mengacu ing fungsinipun. Saluran gerbang saged dipunanggep dados pengontrol buka-tutup saking gerbang sesungguhipun. Gerbang punika ngizinaken [[elektron]] kanggekanggé ngalir utawi ncegah kaliyan ndamel lan mengikangkan sebuah kanal ing antawisipun sumber lan cerat. Elektron ngalir saking sumber nuju ing saluran cerat menawimanawi wonten tegangan ingkang dipunparingake . Badan punika seluruh semikonduktor dasardhasar ing pundhi gerbang, sumber lan cerat dipunpanggenaken. Biasanipun saluran badan dipunsambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah ing sirkuit, gumantung ing tipenipun. Saluran badan lan saluran sumber biasanipun dispunambungaken amargisumber biasanipun dispunambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah saking sirkuit, ananging wonten pinten-pinten penggunaan saking FET ingkang boten kadasta mekatenmakaten , kadasta sirkuit [[gerbang transmisi]] lan [[kaskoda]].
== Komposisi ==
[[Gambar:FET comparison.png|right|300px|thumb|Depletion-type FETs under typical voltages. JFET, poly-silicon MOSFET, double-gate MOSFET, metal-gate MOSFET, MESFET.
Larik 27:
<span style="background-color:#000000;color:white;">&nbsp;metal&nbsp;</span>,
<span style="background-color:#FFFFFF;color:black;border:1px solid black;">&nbsp;insulator&nbsp;</span>. Top=source, bottom=drain, left=gate, right=bulk. Voltages that lead to channel formation are not shown]]
FET saged dipundamel saking pinten-pinten semikonduktor, silikon dados ingkang paling umum. FET ing umumipun dipundamel kaliyan proses pembuatan semikonduktor borongan, ngginaaken lapik semikonduktor kristal tunggal minangka daerah aktif, utawi kanal. Ing antawisipun bahan badan ingkang boten lazimlajim inggih punika [[amorphous silicon]], [[polycrystalline silicon]] lan [[OFET]] ingkang dipundamel saking [[semikonduktor organik]] lan asring ngginaaken isolator gerbang d\lan elektrode organik.
Ing moda punika, FET kanggekanggé kadasta sebuah resistor variabel lan FET ngendika beroperasi ing ''moda linier'' utawi ''moda ohmik''<ref name=Schneider>{{cite book |author=C Galup-Montoro & Schneider MC|title=MOSFET modeling for circuit analysis and design|year= 2007|pages=83|publisher=World Scientific|location=London/Singapore |isbn=981-256-810-7|url=http://worldcat.org/isbn/981-256-810-7}}</ref><ref name=Malik>{{cite book |author=Norbert R Malik|title=Electronic circuits: analysis, simulation, and design|year= 1995|pages=315–316|publisher=Prentice Hall|location=Englewood Cliffs, NJ|isbn=0-02-374910-5|url=http://worldcat.org/isbn/0-02-374910-5}}</ref> MenawiManawi tegangan cerat-ke-sumber ningkat, punika ndamel perubahan wujud kanal ingkang signifikan lan taksimetrik amargi gradien tegangan saking sumber ing cerat. Wujud saking daerah pembalikan dados ''kurus'' dekat ujung cerat saking kanal. MenawiManawi tegangan cerat-ke-sumber dipuntingkataken lajengipun, titik kurus dari kanal mulai bergerak dari cerat menuju ke sumber. Pada keadaan ini, FET ngendika ing ''moda penjenuhan'',<ref name=Spencer>{{cite book |author=RR Spencer & Ghausi MS|title=Microelectronic circuits|year= 2001|pages=102|publisher=Pearson Education/Prentice-Hall|location=Upper Saddle River NJ |isbn=0-201-36183-3|url=http://worldcat.org/isbn/0-201-36183-3}}</ref> pinten-pinten tiyang nyebataken ''moda aktif'', kanggekanggé nganalogikan kaliyan tlatah operasi transistor dwikutub.<ref name=Sedra>{{cite book|author=A. S. Sedra and K.C. Smith|title=Microelectronic circuits|year= 2004|edition=Fifth Edition|pages=552|publisher=Oxford|location=New York|isbn=0-19-514251-9|url=http://worldcat.org/isbn/0-19-514251-9}}</ref><ref name=Gray-Mayer>{{cite book|author=PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis & RG Meyer|title=Analysis and design of analog integrated circuits|year= 2001|pages=§1.5.2 p. 45|edition=Fourth Edition|publisher=Wiley|location=New York|isbn=0-471-32168-0|url=http://worldcat.org/isbn/0-471-32168-0}}</ref>
== Jinis-jinis transistor efek medan ==
Kanal ing FET sampun didoping kanggekanggé ndamel saesaé [[semikonduktor tipe-n]] utawi [[semikonduktor tipe-p]]. Ing FET moda pengayaan, cerat lan sumber dipundamel benten tipe kaliyan kanal, menawimanawi ing FET moda pemiskinan dipundamel setipe kaliyan kanal. FET ugi dipunbentenaken adedasar metoda pengisolasian ing antawisipun gerbang lan kanal.
Jinis-jinis dari FET adalah:
* '''[[MOSFET]]''' (''Metal–Oxide–Semiconductor FET'', FET [[Semikonduktor]]–[[Oksida]]–[[Logam]]) ngginaaken [[isolator]] (biasanipun [[silikon dioksida|SiO<sub>2</sub>]]) ing antawisipun gerbang lan badan.
* '''[[JFET]]''' (''Junction FET'', FET Pertemuan) ngginaaken [[sambungan p-n]] ingkang di[[panjar]] kawalik kanggekanggé misahaken gerbang saking badan.
* '''[[MESFET]]''' (''Metal–Semiconductor FET'', FET Semikonduktor–Logam) nggantos sambungan p-n ing [[JFET]] kaliyan [[sawar Schottky]], dipunginaaken ing GaAs lan bahan [[semikonduktor]] sanesipun.
 
Larik 39:
{{Reflist}}
== Pranala njaba ==
{{CommonscatCommons category|Field-effect Transistors}}
* [http://www.pbs.org/transistor/science/info/transmodern.html PBS The Field Effect Transistor]
* [http://www.onr.navy.mil/sci%5Ftech/31/312/ncsr/devices/jfet.asp Junction Field Effect Transistor]