Transistor sambungan dwikutub: Béda antara owahan

Transistor NPN sagèd dipunanggèp dados kalih diode adu punggung tunggal anode. Ing ngginaakèn biasa, kapanggihan p-n emitor-basis dipunpanjar majèng lan kapanggihan basis-kolektor dipunpanjar mundur. Ing transistor NPN, dados tuladha, mènawi tegangan positif dipuntèpang ing kapanggihan basis-emitor, kasaimbangan ing antawisipun mbeta terbangkitkan kalor lan medan listrik nolak ing laladan pemiskinan dados boten seimbang, manawi elektron terusik kalor kanggekanggé mlebet ing laladan basis. Elektron kasebut ngembara (utawi nyebar) ngelampahi basis saking laladan konsentrasi inggil cerak emitor nuju konsentrasi rendah cerak kolektor. Elektron ing basis dipunasmani mbeta minoritas amargi basis dipunkotori dados tipe-p ingkang dadosaken lubang dados mbeta mayoritas ing basis.

Penjelasan fisika kanggekanggé arus kolektor inggih punika jumlah muatan pembawa minoritas ing laladan basis.<ref name=hh/><ref>{{cite book|title=Semiconductor Device Physics and Simulation|author=Juin Jei Liou and Jiann S. Yuan|publisher=Springer|year=1998|isbn=0306457245|url=http://books.google.com/books?id=y343FTN1TU0C&pg=PA166&dq=charge-controlled+bjt+physics&as_brr=0&ei=l9viRqilEIjopQL_i6WFDg&sig=vXciSaFRmNUmg3KIhmBX7DCiVOA}}</ref><ref>{{cite book|title=Transistor Manual|author=General Electric|edition=6th|year=1962|page=12}} "If the principle of space charge neutrality is used in the analysis of the transistor, it is evident that the collector current is controlled by means of the positive charge (hole concentration) in the base region. ... When a transistor is used at higher frequencies, the fundamental limitation is the time it takes the carriers to diffuse across the base region..." (same in 4th and 5th editions)</ref> Model mendetail dari kerja transistor, [[model Gummel–Poon]], menghitung distribusi dari muatan tersebut secara eksplisit untuk menjelaskan perilaku transistor dengan lebih tepat.<ref>{{cite book|title=Semiconductor Device Modeling with Spice|author=Paolo Antognetti and Giuseppe Massobrio|publisher=McGraw–Hill Professional|year=1993|isbn=0071349553|url=http://books.google.com/books?id=5IBYU9xrGaIC&pg=PA96&dq=gummel-poon+charge+model&as_brr=3&ei=v4TkRp-4Gp2cowLM7bnCCw&sig=vYrycIhlQKCq7VmoK231pjYXPyU#PPA98,M1}}</ref> Pandangan ngenai kendali-muatan kaliyan gampil nangani transistor-foto, ing pundhi mbeta minoritas ing laladan basis dipunbangkitaken déning penyerapan foton, lan nangani pematian dinamik utawi wekdal pulih, ing pundhi gumantung ing penggabungan malih muatan ing laladan basis. manawi mekaten, amargi muatan basis punika boten isyarat ingkang saged dipunukur ing saluran, pandangan kendali arus lan tegangan biasanipun dipunginaaken ing désain lan analisis sirkuit.

Ing désain sirkuit analog, pandangan kendali arus asring dipunginaaken amargi punika linier. Arus kolektor kinten-kinten <math>\beta_F</math> kali lipat saking arus basis. Pinten-pinten sirkuit dasar saged dipundésain kaliyan mengasumsiaken manawi tegangan emitor-basis kinten-kinten ajeg, lan arus kolektor inggih punika beta kali lipat saking arus basis. Manawi mekaten, kanggekanggé ndésain sirkuit BJT kaliyan akurat lan saged dipunandalaken, dipunbetahaken model kendali-tegangan (dados tuladha [[model Ebers–Moll]])<ref name=hh/>. Model kendali-tegangan mbetahaken fungsi eksponensial ingkang kedhah dipunperhitungaken, manawi punika dipunlinieraken, transistor saged dimodelaken dados sebuah transkonduktansi, kadasta ing [[model Ebers–Moll]], désain kanggekanggé sirkuit kadasta penguat diferensial dados prekawis linier, dados pandangan kontrol-tegangan asring dipunutamakaken. Kangge sirkuit translinier, ing pundhi kurva eksponensiak I-V inggih punika kunci saking operasi, transistor biasanipun dipunmodelaken dados terkendali tegangan kaliyan transkonduktansi sebanding kaliyan arus kolektor.

Perbandingan elektron igkang betah ngelintasi basis lan gayuh kolektor inggih punika ukuran saking efisiensi transistor. Pengotoran cerat ing laladan emitor lan pengotoran ringan ing laladan basis nyebabaken langkung katah elektron ingkang dipuninjeksiaken saking emitor ing basis manawi lubang ingkang diinjeksiaken saking basis ing emitor. Penguatan arus moda tunggal emitor dipunwakili déning β_F atau h_fe, punika kinten-kinten sami kaliyan perbandingan arus DC kolektor kaliyan arus DC basis ing laladan aktif-maju. Punika biasanipun langkung ageng saking 100 kanggekanggé transistor isyarat alit, ananging bisa sangat rendah, utaminipunmliginipun ing transistor ingkang dipundésain kanggekanggé penggunaan daya inggil. Parameter ingkang wigati sanesipun inggih punika penguatan arus tunggal-basis, α_F. Penguatan arus tunggal-basis kinten-kinten inggih punika penguatan arus saking emitor ing kolektor ing laladan aktif-maju. bantenipun biasanipun nyeraki satunggal, ing antawisipun 0,9 lan 0,998.