Transistor efek–medan: Béda antara owahan
Konten dihapus Konten ditambahkan
éjaan, replaced: perubahan → owah-owahan, sèdaya → sedaya, secara → kanthi, ngginaaken → ngginakaken (4), benten → bènten, sanesipun → sanèsipun |
→top: éjaan, replaced: komponen → komponèn (2), muatan → momotan (3) |
||
Larik 2:
[[Gambar:P45N02LD.jpg|thumb|High-power N-channel field-effect transistor]]
[[Gambar:JFET n-channel en.svg|thumb|280px|I–V characteristics and output plot of a JFET n-channel transistor.]]
{{Infobox
|nama_komponen=Transistor efek medan
|foto=[[Gambar:P45N02LD.jpg|225px]]
|judul_foto=FET salur-N daya tinggi
|tipe=[[
|kategori=[[transistor]]
|komponen_sejinis=[[BJT]]
Larik 13:
|simbol=
|susunan_kaki=3 pin, gerbang, sumber, cerat}}
'''Transistor efek–medan''' (FET) inggih punika salah satunggaling jinis [[transistor]] ngginaakèn [[medan listrik]] kanggé ngèndaliakèn [[konduktifitas]] suatu kanal saking jinis pembawa
== Sajarah ==
Transistor efek–medan dipunciptakakèn déning [[Julius Edgar Lilienfeld]] ing taun [[1925]] lan déning [[Oskar Heil]] ing taun [[1934]], ananging peranti praktis boten dipundamèl kanthi masal nagntos taun 1990-an.
| |||