Transistor efek–medan: Béda antara owahan
Konten dihapus Konten ditambahkan
→Komposisi: éjaan, replaced: mulai → wiwit |
éjaan, replaced: umumipun → limrahipun, Biasanipun → Limrahipun |
||
Larik 19:
Sdèaya FET gadhah sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) lan sumber (source) ingkang kintèn-kintèn sami kaliyan basis, kolektor lan emitor ing BJT. Sanèsipun [[JFET]], sedaya FET ugi gadhah saluran kaping sèkawan ingkang dipunnamani badan, dhasar utawi substrat. Saluran kaping sèkawan punika nglayani kegunaan teknis ing [[pemanjaran transistor]] kedalam titik operasi. Terminal punika sangat jarang dipunginaakèn ing desain sirkuit, ananging keberadaanipun punika wigati ngrancang penataan [[sirkuit terpadu]].
[[Gambar:Lateral_mosfet.svg|thumbnail|Irisan MOSFET tipe-n]]
Asma-asma saluran ing FET mengacu ing fungsinipun. Saluran gerbang saged dipunanggep dados pengontrol buka-tutup saking gerbang sesungguhipun. Gerbang punika ngizinaken [[elektron]] kanggé ngalir utawi ncegah kaliyan ndamel lan mengikangkan sebuah kanal ing antawisipun sumber lan cerat. Elektron ngalir saking sumber nuju ing saluran cerat manawi wonten tegangan ingkang dipunparingake. Badan punika seluruh semikonduktor dhasar ing pundhi gerbang, sumber lan cerat dipunpanggenaken.
== Komposisi ==
[[Gambar:FET comparison.png|right|300px|thumb|Depletion-type FETs under typical voltages. JFET, poly-silicon MOSFET, double-gate MOSFET, metal-gate MOSFET, MESFET.
Larik 27:
<span style="background-color:#000000;color:white;"> metal </span>,
<span style="background-color:#FFFFFF;color:black;border:1px solid black;"> insulator </span>. Top=source, bottom=drain, left=gate, right=bulk. Voltages that lead to channel formation are not shown]]
FET saged dipundamel saking pinten-pinten semikonduktor, silikon dados ingkang paling umum. FET ing
Ing moda punika, FET kanggé kadasta sebuah resistor variabel lan FET ngendika beroperasi ing ''moda linier'' utawi ''moda ohmik''<ref name=Schneider>{{cite book |author=C Galup-Montoro & Schneider MC|title=MOSFET modeling for circuit analysis and design|year= 2007|pages=83|publisher=World Scientific|location=London/Singapore |isbn=981-256-810-7|url=http://worldcat.org/isbn/981-256-810-7}}</ref><ref name=Malik>{{cite book |author=Norbert R Malik|title=Electronic circuits: analysis, simulation, and design|year= 1995|pages=315–316|publisher=Prentice Hall|location=Englewood Cliffs, NJ|isbn=0-02-374910-5|url=http://worldcat.org/isbn/0-02-374910-5}}</ref> Manawi tegangan cerat-ke-sumber mundhak, punika ndamel owah-owahan wujud kanal ingkang signifikan lan taksimetrik amargi gradien tegangan saking sumber ing cerat. Wujud saking daerah pembalikan dados ''kurus'' dekat ujung cerat saking kanal. Manawi tegangan cerat-ke-sumber dipuntingkataken lajengipun, titik kurus dari kanal wiwit bergerak dari cerat menuju ke sumber. Pada keadaan ini, FET ngendika ing ''moda penjenuhan'',<ref name=Spencer>{{cite book |author=RR Spencer & Ghausi MS|title=Microelectronic circuits|year= 2001|pages=102|publisher=Pearson Education/Prentice-Hall|location=Upper Saddle River NJ |isbn=0-201-36183-3|url=http://worldcat.org/isbn/0-201-36183-3}}</ref> pinten-pinten tiyang nyebataken ''moda aktif'', kanggé nganalogikan kaliyan tlatah operasi transistor dwikutub.<ref name=Sedra>{{cite book|author=A. S. Sedra and K.C. Smith|title=Microelectronic circuits|year= 2004|edition=Fifth Edition|pages=552|publisher=Oxford|location=New York|isbn=0-19-514251-9|url=http://worldcat.org/isbn/0-19-514251-9}}</ref><ref name=Gray-Mayer>{{cite book|author=PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis & RG Meyer|title=Analysis and design of analog integrated circuits|year= 2001|pages=§1.5.2 p. 45|edition=Fourth Edition|publisher=Wiley|location=New York|isbn=0-471-32168-0|url=http://worldcat.org/isbn/0-471-32168-0}}</ref>
== Jinis-jinis transistor efek medan ==
| |||