Transistor efek–medan: Béda antara owahan
Konten dihapus Konten ditambahkan
éjaan, replaced: umumipun → limrahipun, Biasanipun → Limrahipun |
→Jinis-jinis transistor efek medan: éjaan, replaced: adalah → ya iku |
||
Larik 31:
== Jinis-jinis transistor efek medan ==
Kanal ing FET sampun didoping kanggé ndamel saé [[semikonduktor tipe-n]] utawi [[semikonduktor tipe-p]]. Ing FET moda pengayaan, cerat lan sumber dipundamel bènten tipe kaliyan kanal, manawi ing FET moda pemiskinan dipundamel setipe kaliyan kanal. FET ugi dipunbentenaken adhedhasar metoda pengisolasian ing antawisipun gerbang lan kanal.
Jinis-jinis dari FET
* '''[[MOSFET]]''' (''Metal–Oxide–Semiconductor FET'', FET [[Semikonduktor]]–[[Oksida]]–[[Logam]]) ngginakaken [[isolator]] (biasanipun [[silikon dioksida|SiO<sub>2</sub>]]) ing antawisipun gerbang lan badan.
* '''[[JFET]]''' (''Junction FET'', FET Pertemuan) ngginakaken [[sambungan p-n]] ingkang di[[panjar]] kawalik kanggé misahaken gerbang saking badan.
| |||