Transistor efek–medan: Béda antara owahan
Konten dihapus Konten ditambahkan
éjaan, replaced: biasanipun → limrahipun (3), dipundamèl → dipundamel, dipunsèbat → dipunsebat, , → , , kadasta → kados ta (3) |
ganti isi, replaced: ananging → nanging (3) |
||
Larik 15:
'''Transistor efek–medan''' (FET) inggih punika salah satunggaling jinis [[transistor]] ngginaakèn [[medan listrik]] kanggé ngèndaliakèn [[konduktifitas]] suatu kanal saking jinis pembawa momotan tunggal ing bahan [[semikonduktor]]. FET kadang-kadang dipunsebat minangka transistor ekakutub kanggé mbèntnèakèn operasi pembawa momotan tunggal ingkang dipunlmapahi kaliyan operasi kalih pembawa momotan ing [[transistor dwikutub]] (BJT).
== Sajarah ==
Transistor efek–medan dipunciptakakèn déning [[Julius Edgar Lilienfeld]] ing taun [[1925]] lan déning [[Oskar Heil]] ing taun [[1934]],
== Saluran ==
Sdèaya FET gadhah sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) lan sumber (source) ingkang kintèn-kintèn sami kaliyan basis, kolektor lan emitor ing BJT. Sanèsipun [[JFET]], sedaya FET ugi gadhah saluran kaping sèkawan ingkang dipunnamani badan, dhasar utawi substrat. Saluran kaping sèkawan punika nglayani kegunaan teknis ing [[pemanjaran transistor]] kedalam titik operasi. Terminal punika sangat jarang dipunginaakèn ing desain sirkuit,
[[Gambar:Lateral_mosfet.svg|thumbnail|Irisan MOSFET tipe-n]]
Asma-asma saluran ing FET mengacu ing fungsinipun. Saluran gerbang saged dipunanggep dados pengontrol buka-tutup saking gerbang sesungguhipun. Gerbang punika ngizinaken [[elektron]] kanggé ngalir utawi ncegah kaliyan ndamel lan mengikangkan sebuah kanal ing antawisipun sumber lan cerat. Elektron ngalir saking sumber nuju ing saluran cerat manawi wonten tegangan ingkang dipunparingake. Badan punika seluruh semikonduktor dhasar ing pundhi gerbang, sumber lan cerat dipunpanggenaken. Limrahipun saluran badan dipunsambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah ing sirkuit, gumantung ing tipenipun. Saluran badan lan saluran sumber limrahipun dispunambungaken amargisumber limrahipun dispunambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah saking sirkuit,
== Komposisi ==
[[Gambar:FET comparison.png|right|300px|thumb|Depletion-type FETs under typical voltages. JFET, poly-silicon MOSFET, double-gate MOSFET, metal-gate MOSFET, MESFET.
| |||