Transistor sambungan dwikutub: Béda antara owahan
Konten dihapus Konten ditambahkan
Kaca énggal: {{Inuseuntil|28 Pebruari 2013}} {{Infobox komponen elektronik |nama_komponen=Transistor pertemuan dwikutub |foto=jmpl |judul_foto= |tipe=Komponen a... |
Tanpa ringkesan besutan |
||
Larik 2:
{{Infobox komponen elektronik
|nama_komponen=Transistor pertemuan dwikutub
|foto=[[
|judul_foto=
|tipe=[[Komponen aktif]]
Larik 15:
'''Transistor pertemuan dwikutub''' ('''BJT''') inggih punika salah satunggaling jenis saking [[transistor]]. inggih punika peranti tiga-saluran ingkang kadamel saking bahan [[semikonduktor]] terkotori. Dipun asmani ''dwikutub'' amargi operasinipun nyertaaken sae [[elektron]] utawi [[lubang elektron]], berlawanan kaliyan transistor ''ekakutub'' kadasta [[FET]] ingkang namung ngginaaken salah satunggaling pembawa. Utawi bagian alit saking arus transistor inggih punika [[pembawa mayoritas]], menawi sedaya arus transistor inggih punika amargi [[pembawa minoritas]], pramila BJT dipunklasifikasiaken dados peranti ''pembawa-minoritas''.
== Perkenalan ==
[[Gambar:NPN BJT Basic Operation (Active).svg|thumb|NPN BJT dengan pertemuan E–B dipanjar maju dan pertemuan B–C dipanjar mundur]]
Transistor NPN saged dipunanggep dados kalih diode adu punggung tunggal anode. Ing ngginaaken biasa, kapanggihan p-n emitor-basis dipunpanjar majeng lan kapanggihan basis-kolektor dipunpanjar mundur. Ing transistor NPN, dados tuladha, menawi tegangan positif dipuntepang ing kapanggihan basis-emitor, kasaimbangan ing antawisipun mbeta terbangkitkan kalor lan medan listrik nolak ing daerah pemiskinan dados mboten seimbang, menawi elektron terusik kalor kangge mlebet ing daerah basis. Elektron kasebut ngembara (utawi nyebar) ngelampahi basis saking daerah konsentrasi inggil cerak emitor nuju konsentrasi rendah cerak kolektor. Elektron ing basis dipunasmani mbeta minoritas amargi basis dipunkotori dados tipe-p ingkang dadosaken lubang dados mbeta mayoritas ing basis.
| |||
