Révisi kala 5 Dhésèmber 2012 13.49 besut JV001 Atif Nur Cahyani (parembugan \| pasumbang) 3.666 suntingan Tanpa ringkesan besutan ← Besutan sadurungé		Révisi kala 5 Dhésèmber 2012 13.59 besut wurungaké JV001 Atif Nur Cahyani (parembugan \| pasumbang) 3.666 suntingan Tanpa ringkesan besutan Besutan sawisé →
Larik 33: [[Gambar:npn BJT cross section.PNG\|jmpl\|thumb\|Irisan transistor NPN yang disederhanakan]] [[Gambar:Transistor-die-KSY34.jpg\|jmpl\|thumb\|Kepingan transistor NPN frekuensi tinggi KSY34, basis dan emitor disambungkan melalui ikatan kawat]] BJT kaperang saking tiga daerah semikonduktor ingkang benten pengotoranipun, yaiku daerah ''emitor'', daerah ''basis'' lan daerah ''kolektor''. Daerah-daerah kasebut inggih punika tipe-p, tipe-n lan tipe-p ing transistor PNP, lan tipe-n, tipe-p dan tipe-n ingtransistor NPN. Saben daerah semikonduktor dipunsambungaken ing saluran ingkang ugi dipunasmani ''emitor'' (E), ''basis'' (B) lan ''kolektor'' (C).

Transistor sambungan dwikutub: Béda antara owahan