Transistor efek–medan: Béda antara owahan

Konten dihapus Konten ditambahkan
Tanpa ringkesan besutan
Tanpa ringkesan besutan
Larik 1:
{{Inuseuntil|28 Pebruari 2013}}
[[Gambar:P45N02LD.jpg|thumb|High-power N-channel field-effect transistor]]
[[Gambar:JFET n-channel en.svg|thumb|280px|I–V characteristics and output plot of a JFET n-channel transistor.]]
{{Infobox komponen elektronik
|nama_komponen=Transistor efek medan
Baris 19 ⟶ 21:
Asma-asma saluran ing FET mengacu ing fungsinipun. Saluran gerbang saged dipunanggep dados pengontrol buka-tutup saking gerbang sesungguhipun. Gerbang punika ngizinaken [[elektron]] kangge ngalir utawi ncegah kaliyan ndamel lan mengikangkan sebuah kanal ing antawisipun sumber lan cerat. Elektron ngalir saking sumber nuju ing saluran cerat menawi wonten tegangan ingkang dipunparingake . Badan menika seluruh semikonduktor dasar ing pundhi gerbang, sumber lan cerat dipunpanggenaken. Biasanipun saluran badan dipunsambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah ing sirkuit, gumantung ing tipenipun. Saluran badan lan saluran sumber biasanipun dispunambungaken amargisumber biasanipun dispunambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah saking sirkuit, ananging wonten pinten-pinten penggunaan saking FET ingkang mboten kadasta mekaten , kadasta sirkuit [[gerbang transmisi]] lan [[kaskoda]].
== Komposisi ==
[[Gambar:FET comparison.png|right|300px|thumb|Depletion-type FETs under typical voltages. JFET, poly-silicon MOSFET, double-gate MOSFET, metal-gate MOSFET, MESFET.
<span style="background-color:#808080;color:black;">&nbsp;depletion&nbsp;</span>,
<span style="background-color:#0000FF;color:white;">&nbsp;electrons&nbsp;</span>,
<span style="background-color:#FF0000;color:black;">&nbsp;holes&nbsp;</span>,
<span style="background-color:#000000;color:white;">&nbsp;metal&nbsp;</span>,
<span style="background-color:#FFFFFF;color:black;border:1px solid black;">&nbsp;insulator&nbsp;</span>. Top=source, bottom=drain, left=gate, right=bulk. Voltages that lead to channel formation are not shown]]
FET saged dipundamel saking pinten-pinten semikonduktor, silikon dados ingkang paling umum. FET ing umumipun dipundamel kaliyan proses pembuatan semikonduktor borongan, ngginaaken lapik semikonduktor kristal tunggal minangka daerah aktif, utawi kanal. Ing antawisipun bahan badan ingkang mboten lazim inggih punika [[amorphous silicon]], [[polycrystalline silicon]] lan [[OFET]] ingkang dipundamel saking [[semikonduktor organik]] lan asring ngginaaken isolator gerbang d\lan elektrode organik.
Ing moda punika, FET kangge kadasta sebuah resistor variabel lan FET ngendika beroperasi ing ''moda linier'' utawi ''moda ohmik''<ref name=Schneider>{{cite book |author=C Galup-Montoro & Schneider MC|title=MOSFET modeling for circuit analysis and design|year= 2007|pages=83|publisher=World Scientific|location=London/Singapore |isbn=981-256-810-7|url=http://worldcat.org/isbn/981-256-810-7}}</ref><ref name=Malik>{{cite book |author=Norbert R Malik|title=Electronic circuits: analysis, simulation, and design|year= 1995|pages=315–316|publisher=Prentice Hall|location=Englewood Cliffs, NJ|isbn=0-02-374910-5|url=http://worldcat.org/isbn/0-02-374910-5}}</ref> Menawi tegangan cerat-ke-sumber ningkat, punika ndamel perubahan bentuk kanal ingkang signifikan lan taksimetrik amargi gradien tegangan saking sumber ing cerat. Bentuk saking daerah pembalikan dados ''kurus'' dekat ujung cerat saking kanal. Menawi tegangan cerat-ke-sumber dipuntingkataken lajengipun, titik kurus dari kanal mulai bergerak dari cerat menuju ke sumber. Pada keadaan ini, FET ngendika ing ''moda penjenuhan'',<ref name=Spencer>{{cite book |author=RR Spencer & Ghausi MS|title=Microelectronic circuits|year= 2001|pages=102|publisher=Pearson Education/Prentice-Hall|location=Upper Saddle River NJ |isbn=0-201-36183-3|url=http://worldcat.org/isbn/0-201-36183-3}}</ref> pinten-pinten tiyang nyebataken ''moda aktif'', kangge nganalogikan kaliyan tlatah operasi transistor dwikutub.<ref name=Sedra>{{cite book|author=A. S. Sedra and K.C. Smith|title=Microelectronic circuits|year= 2004|edition=Fifth Edition|pages=552|publisher=Oxford|location=New York|isbn=0-19-514251-9|url=http://worldcat.org/isbn/0-19-514251-9}}</ref><ref name=Gray-Mayer>{{cite book|author=PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis & RG Meyer|title=Analysis and design of analog integrated circuits|year= 2001|pages=§1.5.2 p. 45|edition=Fourth Edition|publisher=Wiley|location=New York|isbn=0-471-32168-0|url=http://worldcat.org/isbn/0-471-32168-0}}</ref>