Transistor efek–medan: Béda antara owahan
Konten dihapus Konten ditambahkan
c Bot: Migrating 37 interwiki links, now provided by Wikidata on d:q176097 (translate me) |
|||
Larik 17:
Transistor efek–medan dipunciptakakèn dèning [[Julius Edgar Lilienfeld]] ing taun [[1925]] lan dèning [[Oskar Heil]] ing taun [[1934]], ananging peranti praktis mbotèn dipundamèl secara masal nagntos taun 1990-an.
== Saluran ==
Sdèaya FET nggadahi sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) lan sumber (source) ingkang kintèn-kintèn sami kaliyan basis, kolektor lan emitor ing BJT. Sanèsipun [[JFET]], sèdaya FET ugi nggadahi saluran kaping sèkawan ingkang dipunasmani badan, dasar utawi substrat. Saluran kaping sèkawan punika nglayani kegunaan teknis ing [[pemanjaran transistor]] kedalam titik operasi. Terminal punika sangat jarang dipunginaakèn ing desain sirkuit, ananging keberadaanipun
[[Gambar:Lateral_mosfet.svg|thumbnail|Irisan MOSFET tipe-n]]
Asma-asma saluran ing FET mengacu ing fungsinipun. Saluran gerbang saged dipunanggep dados pengontrol buka-tutup saking gerbang sesungguhipun. Gerbang punika ngizinaken [[elektron]] kangge ngalir utawi ncegah kaliyan ndamel lan mengikangkan sebuah kanal ing antawisipun sumber lan cerat. Elektron ngalir saking sumber nuju ing saluran cerat menawi wonten tegangan ingkang dipunparingake . Badan
== Komposisi ==
[[Gambar:FET comparison.png|right|300px|thumb|Depletion-type FETs under typical voltages. JFET, poly-silicon MOSFET, double-gate MOSFET, metal-gate MOSFET, MESFET.
|