Transistor efek–medan: Béda antara owahan

Konten dihapus Konten ditambahkan
Legobot (parembugan | pasumbang)
c Bot: Migrating 37 interwiki links, now provided by Wikidata on d:q176097 (translate me)
c →‎Saluran: éjaan using AWB
Larik 17:
Transistor efek–medan dipunciptakakèn dèning [[Julius Edgar Lilienfeld]] ing taun [[1925]] lan dèning [[Oskar Heil]] ing taun [[1934]], ananging peranti praktis mbotèn dipundamèl secara masal nagntos taun 1990-an.
== Saluran ==
Sdèaya FET nggadahi sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) lan sumber (source) ingkang kintèn-kintèn sami kaliyan basis, kolektor lan emitor ing BJT. Sanèsipun [[JFET]], sèdaya FET ugi nggadahi saluran kaping sèkawan ingkang dipunasmani badan, dasar utawi substrat. Saluran kaping sèkawan punika nglayani kegunaan teknis ing [[pemanjaran transistor]] kedalam titik operasi. Terminal punika sangat jarang dipunginaakèn ing desain sirkuit, ananging keberadaanipun menikapunika wigati ngrancang penataan [[sirkuit terpadu]].
[[Gambar:Lateral_mosfet.svg|thumbnail|Irisan MOSFET tipe-n]]
Asma-asma saluran ing FET mengacu ing fungsinipun. Saluran gerbang saged dipunanggep dados pengontrol buka-tutup saking gerbang sesungguhipun. Gerbang punika ngizinaken [[elektron]] kangge ngalir utawi ncegah kaliyan ndamel lan mengikangkan sebuah kanal ing antawisipun sumber lan cerat. Elektron ngalir saking sumber nuju ing saluran cerat menawi wonten tegangan ingkang dipunparingake . Badan menikapunika seluruh semikonduktor dasar ing pundhi gerbang, sumber lan cerat dipunpanggenaken. Biasanipun saluran badan dipunsambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah ing sirkuit, gumantung ing tipenipun. Saluran badan lan saluran sumber biasanipun dispunambungaken amargisumber biasanipun dispunambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah saking sirkuit, ananging wonten pinten-pinten penggunaan saking FET ingkang mboten kadasta mekaten , kadasta sirkuit [[gerbang transmisi]] lan [[kaskoda]].
== Komposisi ==
[[Gambar:FET comparison.png|right|300px|thumb|Depletion-type FETs under typical voltages. JFET, poly-silicon MOSFET, double-gate MOSFET, metal-gate MOSFET, MESFET.