Transistor efek–medan: Béda antara owahan

Konten dihapus Konten ditambahkan
Top4Bot (parembugan | pasumbang)
éjaan, replaced: proses → prosès, dèning → déning (2)
Top4Bot (parembugan | pasumbang)
éjaan, replaced: adedasar → adhedhasar, Sejarah → Sajarah, dipunginaaken → dipun-ginakaken
Larik 14:
|susunan_kaki=3 pin, gerbang, sumber, cerat}}
'''Transistor efek–medan''' (FET) inggih punika salah satunggaling jinis [[transistor]] ngginaakèn [[medan listrik]] kanggé ngèndaliakèn [[konduktifitas]] suatu kanal saking jinis pembawa muatan tunggal ing bahan [[semikonduktor]]. FET kadang-kadang dipunsèbat minangka transistor ekakutub kanggé mbèntnèakèn operasi pembawa muatan tunggal ingkang dipunlmapahi kaliyan operasi kalih pembawa muatan ing [[transistor dwikutub]] (BJT).
== SejarahSajarah ==
Transistor efek–medan dipunciptakakèn déning [[Julius Edgar Lilienfeld]] ing taun [[1925]] lan déning [[Oskar Heil]] ing taun [[1934]], ananging peranti praktis mbotèn dipundamèl secara masal nagntos taun 1990-an.
== Saluran ==
Larik 30:
Ing moda punika, FET kanggé kadasta sebuah resistor variabel lan FET ngendika beroperasi ing ''moda linier'' utawi ''moda ohmik''<ref name=Schneider>{{cite book |author=C Galup-Montoro & Schneider MC|title=MOSFET modeling for circuit analysis and design|year= 2007|pages=83|publisher=World Scientific|location=London/Singapore |isbn=981-256-810-7|url=http://worldcat.org/isbn/981-256-810-7}}</ref><ref name=Malik>{{cite book |author=Norbert R Malik|title=Electronic circuits: analysis, simulation, and design|year= 1995|pages=315–316|publisher=Prentice Hall|location=Englewood Cliffs, NJ|isbn=0-02-374910-5|url=http://worldcat.org/isbn/0-02-374910-5}}</ref> Manawi tegangan cerat-ke-sumber ningkat, punika ndamel perubahan wujud kanal ingkang signifikan lan taksimetrik amargi gradien tegangan saking sumber ing cerat. Wujud saking daerah pembalikan dados ''kurus'' dekat ujung cerat saking kanal. Manawi tegangan cerat-ke-sumber dipuntingkataken lajengipun, titik kurus dari kanal mulai bergerak dari cerat menuju ke sumber. Pada keadaan ini, FET ngendika ing ''moda penjenuhan'',<ref name=Spencer>{{cite book |author=RR Spencer & Ghausi MS|title=Microelectronic circuits|year= 2001|pages=102|publisher=Pearson Education/Prentice-Hall|location=Upper Saddle River NJ |isbn=0-201-36183-3|url=http://worldcat.org/isbn/0-201-36183-3}}</ref> pinten-pinten tiyang nyebataken ''moda aktif'', kanggé nganalogikan kaliyan tlatah operasi transistor dwikutub.<ref name=Sedra>{{cite book|author=A. S. Sedra and K.C. Smith|title=Microelectronic circuits|year= 2004|edition=Fifth Edition|pages=552|publisher=Oxford|location=New York|isbn=0-19-514251-9|url=http://worldcat.org/isbn/0-19-514251-9}}</ref><ref name=Gray-Mayer>{{cite book|author=PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis & RG Meyer|title=Analysis and design of analog integrated circuits|year= 2001|pages=§1.5.2 p. 45|edition=Fourth Edition|publisher=Wiley|location=New York|isbn=0-471-32168-0|url=http://worldcat.org/isbn/0-471-32168-0}}</ref>
== Jinis-jinis transistor efek medan ==
Kanal ing FET sampun didoping kanggé ndamel saé [[semikonduktor tipe-n]] utawi [[semikonduktor tipe-p]]. Ing FET moda pengayaan, cerat lan sumber dipundamel benten tipe kaliyan kanal, manawi ing FET moda pemiskinan dipundamel setipe kaliyan kanal. FET ugi dipunbentenaken adedasaradhedhasar metoda pengisolasian ing antawisipun gerbang lan kanal.
Jinis-jinis dari FET adalah:
* '''[[MOSFET]]''' (''Metal–Oxide–Semiconductor FET'', FET [[Semikonduktor]]–[[Oksida]]–[[Logam]]) ngginaaken [[isolator]] (biasanipun [[silikon dioksida|SiO<sub>2</sub>]]) ing antawisipun gerbang lan badan.
* '''[[JFET]]''' (''Junction FET'', FET Pertemuan) ngginaaken [[sambungan p-n]] ingkang di[[panjar]] kawalik kanggé misahaken gerbang saking badan.
* '''[[MESFET]]''' (''Metal–Semiconductor FET'', FET Semikonduktor–Logam) nggantos sambungan p-n ing [[JFET]] kaliyan [[sawar Schottky]], dipunginaakendipun-ginakaken ing GaAs lan bahan [[semikonduktor]] sanesipun.
 
== Cathetan suku ==