Transistor efek–medan: Béda antara owahan
Konten dihapus Konten ditambahkan
éjaan, replaced: adedasar → adhedhasar, Sejarah → Sajarah, dipunginaaken → dipun-ginakaken |
éjaan, replaced: mbotèn → boten, . → . |
||
Larik 15:
'''Transistor efek–medan''' (FET) inggih punika salah satunggaling jinis [[transistor]] ngginaakèn [[medan listrik]] kanggé ngèndaliakèn [[konduktifitas]] suatu kanal saking jinis pembawa muatan tunggal ing bahan [[semikonduktor]]. FET kadang-kadang dipunsèbat minangka transistor ekakutub kanggé mbèntnèakèn operasi pembawa muatan tunggal ingkang dipunlmapahi kaliyan operasi kalih pembawa muatan ing [[transistor dwikutub]] (BJT).
== Sajarah ==
Transistor efek–medan dipunciptakakèn déning [[Julius Edgar Lilienfeld]] ing taun [[1925]] lan déning [[Oskar Heil]] ing taun [[1934]], ananging peranti praktis
== Saluran ==
Sdèaya FET nggadahi sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) lan sumber (source) ingkang kintèn-kintèn sami kaliyan basis, kolektor lan emitor ing BJT. Sanèsipun [[JFET]], sèdaya FET ugi nggadahi saluran kaping sèkawan ingkang dipunasmani badan, dhasar utawi substrat. Saluran kaping sèkawan punika nglayani kegunaan teknis ing [[pemanjaran transistor]] kedalam titik operasi. Terminal punika sangat jarang dipunginaakèn ing desain sirkuit, ananging keberadaanipun punika wigati ngrancang penataan [[sirkuit terpadu]].
[[Gambar:Lateral_mosfet.svg|thumbnail|Irisan MOSFET tipe-n]]
Asma-asma saluran ing FET mengacu ing fungsinipun. Saluran gerbang saged dipunanggep dados pengontrol buka-tutup saking gerbang sesungguhipun. Gerbang punika ngizinaken [[elektron]] kanggé ngalir utawi ncegah kaliyan ndamel lan mengikangkan sebuah kanal ing antawisipun sumber lan cerat. Elektron ngalir saking sumber nuju ing saluran cerat manawi wonten tegangan ingkang dipunparingake
== Komposisi ==
[[Gambar:FET comparison.png|right|300px|thumb|Depletion-type FETs under typical voltages. JFET, poly-silicon MOSFET, double-gate MOSFET, metal-gate MOSFET, MESFET.
| |||