Transistor efek–medan: Béda antara owahan
Konten dihapus Konten ditambahkan
c éjaan using AWB |
c →Komposisi: bentuk -> wujud using AWB |
||
Larik 28:
<span style="background-color:#FFFFFF;color:black;border:1px solid black;"> insulator </span>. Top=source, bottom=drain, left=gate, right=bulk. Voltages that lead to channel formation are not shown]]
FET saged dipundamel saking pinten-pinten semikonduktor, silikon dados ingkang paling umum. FET ing umumipun dipundamel kaliyan proses pembuatan semikonduktor borongan, ngginaaken lapik semikonduktor kristal tunggal minangka daerah aktif, utawi kanal. Ing antawisipun bahan badan ingkang boten lazim inggih punika [[amorphous silicon]], [[polycrystalline silicon]] lan [[OFET]] ingkang dipundamel saking [[semikonduktor organik]] lan asring ngginaaken isolator gerbang d\lan elektrode organik.
Ing moda punika, FET kangge kadasta sebuah resistor variabel lan FET ngendika beroperasi ing ''moda linier'' utawi ''moda ohmik''<ref name=Schneider>{{cite book |author=C Galup-Montoro & Schneider MC|title=MOSFET modeling for circuit analysis and design|year= 2007|pages=83|publisher=World Scientific|location=London/Singapore |isbn=981-256-810-7|url=http://worldcat.org/isbn/981-256-810-7}}</ref><ref name=Malik>{{cite book |author=Norbert R Malik|title=Electronic circuits: analysis, simulation, and design|year= 1995|pages=315–316|publisher=Prentice Hall|location=Englewood Cliffs, NJ|isbn=0-02-374910-5|url=http://worldcat.org/isbn/0-02-374910-5}}</ref> Menawi tegangan cerat-ke-sumber ningkat, punika ndamel perubahan
== Jinis-jinis transistor efek medan ==
Kanal ing FET sampun didoping kangge ndamel sae [[semikonduktor tipe-n]] utawi [[semikonduktor tipe-p]]. Ing FET moda pengayaan, cerat lan sumber dipundamel benten tipe kaliyan kanal, menawi ing FET moda pemiskinan dipundamel setipe kaliyan kanal. FET ugi dipunbentenaken adedasar metoda pengisolasian ing antawisipun gerbang lan kanal.
|